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硅化钴 CoSi2

硅化钴 CoSi2

  • 所属分类:硅化钛锆镁铪等
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  • 发布日期:2020-08-04 11:29:18
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  二硅化钴

  化学式CoSi2。分子量115.11。深褐色斜方系晶体。熔点1277℃,相对密度5.3。在1200℃下可被氧化,侵蚀其表面;与氟在低温下反应;与氯在300℃反应。被氟化氢,稀、浓硝酸及硫酸侵蚀,也能被熔融的强碱剧烈侵蚀。与沸热的浓盐酸缓慢作用。CoSi2具有低电阻率,良好的热稳定性,目前在大规模集成电路中作为接触得到广泛使用。并且CoSi2有和Si相似的晶体结构,因此可以再Si衬底上形成外延CoSi2/Si结构,用来研究外延金属硅的界面特性。硅化物纳米结构在纳米电子学的一系列领域还有着潜在的重要应用:半导体硅化物纳米结构(FeSi2)可以用来制备纳米电子有源器件,在硅基纳米发光器件中可能有十分重要的应用;金属性硅化物(CoSi2, NiSi2)可以再未来的量子计算机、容错太赫兹纳米电路计算机中用作纳米导线,由于可以在硅衬底上制备外延硅化物导线,它们的性能因为没有晶粒间界将会比普通的金属纳米线大大提高;金属性纳米机构也可以在分子电子学中作为一个分子或几个分子的纳米电极。在半导体组件的工艺中,多在内部电连接点例如栅极、源极或漏极上,形成低阻值的二硅化钴(CoSi2)层。一般而言,二硅化钴的制造方法是先将金属钴(Co)层形成于一含硅的衬底上,再经过两次的退火处理(annealingtreatment)将钴转变成二硅化钴。其中,退火处理是先令钴扩散到含硅的衬底内,以形成一硅化钴(CoSi)层。第二次的退火处理则是将硅化钴层转变成低阻值的二硅化钴,藉以降低组件的电阻值。


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